脚字的结构_脚字的结构

据金融行业2024年4月5日消息，根据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请的项目名称为《半导体结构及制备方法》，公开号CN117835694A，具有申请日期为2022 年9 月。月亮。专利摘要显示，本发明提供了一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括基板以及多条字线。多条字线均沿第一方向延伸。我会继续。

一种足形结构，是一种半导体结构及其制备方法。该制备方法包括：提供半导体衬底。半导体基板包括存储器阵列区和外围电路区，其中存储器阵列区中形成有多个分立电路。在有源区中，在有源区中形成两个字线沟槽结构。两个字线沟槽结构将每个有源区划分为位于两个字线沟槽结构之间的漏极区以及单独的小毛猫。

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“脚”字的正确读音是长鑫存储技术有限公司申请的公开号CN117832196A，标题为《半导体结构及其制备方法》，申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括：半导体衬底，该半导体衬底包括有源区，并且该半导体衬底具有字线沟槽。和一个栅极二极管。

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2024年3月20日金融行业消息，据国家知识产权局消息，金卡智能集团有限公司已获得授权公告，编号为CN109540178B，名称为《一种基于字符轮位置判断的计数结构》专利号“关于电容”，申请日期为2018年12月。专利摘要显示，本发明涉及测量与计数技术领域，具体涉及一种基于电容确定字符轮位置的计数方法。我会继续。

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“足迹”的古文发明提供了一种利用埋入式位线的晶体管结构及其制造方法。晶体管结构包括基底、隔离结构、漏极沉槽、第一字线沟槽、第二字线沟槽以及基底。线沟槽、掩埋字线、位线沟槽和掩埋位线。本发明的制造方法通过形成漏极沉槽来改变晶体管的结构，使得晶体管具有埋入式位线，且晶体管具有中等形状。我将继续谈论它。

据金融行业2024年3月13日消息，根据国家知识产权局公告，三星电子有限公司已获得授权公告号CN110911416B，名称为《集成电路器件及制造方法》，申请日期是2019年6月。moon。专利摘要显示一种集成电路元件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔以及电荷捕捉图案。字线结构和隔离结构交错的情况又如何呢？

据金融行业2024年4月1日消息，根据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司获得授权公告号CN107994018B，名称为《半导体存储器件结构及制造方法》，申请日期为2017年12月。专利摘要显示，本发明提供了一种半导体存储器件结构及其制造方法。存储器件结构包括半导体衬底、字线结等。我将继续。

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如何用硬笔书法书写汉字本发明提供了一种晶体管结构、存储单元阵列及其制备方法。晶体管制备包括：提供具有有源区的半导体衬底，在有源区中形成沟槽结构；以及侧壁以形成介电层；字线表面层形成于介电层的底部及部分侧壁处，且字线实体层包括与字线表面层的表面结合的填充部分以及位于填充部分顶部的突出部分，字行好吧！

晶体管结构形成于第一沟槽内，晶体管结构包括覆盖第一沟槽内壁的栅极层以及位于栅极层内的有源结构。晶体管结构沿着第一沟槽形成。字线沿两个方向延伸，字线覆盖沿第二方向间隔的多个存储区中的栅极层。本发明简化了水平字线的形成工艺并降低了半导体的成本。我会继续。

“脚”字消息来源2023年12月12日金融行业。据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司已获得授权公告号CN113745193B，名称为“字线提取”结构及制备方法”。申请日期为2020年5月。专利摘要显示，本申请涉及一种字线引出结构及其制备方法。在基板上形成沿X轴方向延伸的字线；沿着Y轴方向成型，太棒了！